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各場景核心差異與工藝適配邏輯

1. 碳化階段：“基礎骨架構(gòu)建” 的核心
   此階段無需劇烈刻蝕，僅需溫和去除雜質(zhì)，因此回轉(zhuǎn)爐控溫較低（300-800℃），且重點保障 “惰性氣氛” 與 “物料均勻受熱”—— 若溫度過高或升溫過快（>10℃/min），會導致原料中揮發(fā)分快速逸出，造成碳骨架破裂；若氣氛含氧，會直接氧化碳材料，導致碳收率下降（通常需控制碳收率 > 40%）。
2. 活化階段：“孔隙調(diào)控” 的關鍵
   此階段需通過高溫與活化介質(zhì)的劇烈反應造孔，因此回轉(zhuǎn)爐需滿足 “高溫穩(wěn)定性” 與 “介質(zhì)均勻接觸”：

• 物理活化（水蒸氣 / CO?）依賴 “C + H?O → CO + H?”“C + CO? → 2CO” 的反應刻蝕，需精準控制介質(zhì)濃度（過高會導致孔隙合并變大，過低則活化效率低）；

• 化學活化（磷酸 / KOH）依賴 “脫水 - 氧化 - 刻蝕” 的協(xié)同作用，需防腐蝕內(nèi)襯（避免酸堿腐蝕爐體），且后續(xù)需配套水洗工段去除殘留活化劑。

3. 包覆改性階段：“表面性能優(yōu)化” 的核心
   此階段需在多孔碳表面形成均勻薄層，因此回轉(zhuǎn)爐的 “多段控溫” 與 “前驅(qū)體精準供給” 是關鍵：

• 預熱段需去除多孔碳表面吸附水，避免影響包覆層附著力；

• 包覆段需控制前驅(qū)體分解速率（如乙炔在 700℃下緩慢分解為無定形碳），防止過快分解導致包覆層團聚；

• 固化段需高溫定型，提升包覆層與多孔碳基體的結(jié)合強度（如硅碳復合負極的碳包覆層，需固化后避免硅顆粒脫落）。

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